Оборудование и материалы

Отобразить:  плиткой  списком

MAPLE-2H - является 4-ым поколение ручных систем фотолюминесцентного картографирования (PL mapping), предназначенных для использования при производстве светоизлучающих диодов (LED).

Установка MUEGGE STP Compact принадлежит последнему и наиболее продвинутому поколению микроволновых систем группового озоления.

Оптические профилометры серии Nanoview являются идеальным решением для задач быстрого неразрушающего контроля поверхности для лабораторий и исследовательских центров. Приборы позволяют получать 3D-карты поверхности и осуществлять ее анализ (высота ступеньки, глубина, ширина, угол, шероховатость, информация о площади, объеме, средней высоте и т.д.).

Установка специально спроектирована для обеспечения производительной работы при малой стоимости работ. Предлагаемая машина является прекрасным решением для групповой очистки и сушки пластин (кассетная загрузка).

Установки совмещения и экспонирования серии KCMA относятся к оптической литографии и являются экономически выгодным и бюджетным решением обработки пластин с максимальным диаметром 6 дюймов. Простота использования, удобный рабочий интерфейс, невысокая стоимость по сравнению с аналогами – все это делает машины данной серии очень привлекательными для использования в лабораториях и при производстве.

Уникальная, компактная и эффективная установка UV-KUB 3 относится к новому поколению светодиодных систем экспонирования и прекрасно подходит для применений в лабораториях в ходе научных исследований. Машина позволяет совмещать маску размером 5” c пластиной размером до 100 мм в кубическом объеме с длиной одной стороны всего 47,5 см.

Первая светодиодная система экспонирования. Компактная, эргономичная, легкая в использовании, с функцией экспонирования маски, которая позволяют достичь разрешения менее, чем 2 мкм.

Компактное светодиодное экспонирующее оборудование для использования в лабораториях и чистых помещениях. Разрешение экспонирования 2 мкм.

Лазерный литограф модели Dilase 750 является самым большим и мультифункциональным в модельном ряде компании KLOE и конфигурируется полностью под конкретные требованиям Заказчика.

Страницы:

Страницы

Перед нашей страной стоят глобальные задачи, направленные на развитие промышленности как оборонного, так и гражданского секторов, переход производства на качественно новый уровень. Их решение невозможно без построения современных производств, обновления всей инженерной инфраструктуры, приобретения и внедрения передового технологического и измерительного оборудования.

Компания Интеллект осуществляет услуги по поставке современного технологического оборудования в соответствии с требованиями Заказчика. Оборудование подбирается, исходя из технического задания, полученного от Заказчика, и бюджета, что позволяет за разумные деньги достичь необходимого результата.

Возможны поставки как отдельных единиц, так и полной линейки оборудования под требуемый технологический процесс. Помимо оборудования для полупроводникового промышленности,  по отдельному запросу, возможны поставки оборудования для прецизионной микрообработки для металлообрабатывающих производств (электроэрозионные станки, токарные станки, пресса и т.д.).

Кроме того, наша компания осуществляет поставки полупроводниковых пластин и эпитаксиальных структур по техническому заданию Заказчика.

Также Компания Интеллект предлагает свои услуги по поставке полупроводниковых материалов для различных применений:

  • Полуизолирующие и полупроводниковые пластины  арсенида галлия (GaAs) диаметром от 3” до 200 мм для СВЧ-электроники и оптоэлектроники.  Кристаллы материала подложки выращиваются двумя методами: метод Чохральского и метод вертикально направленной кристаллизации. Требуемые электрические свойства достигаются легированием углеродом, кремнием, теллуром и цинком. Для Заказчиков предлагаются полупроводниковые пластины n-типа и p-типа с высоким сопротивлением (> 107 Ом·см) или низким сопротивлением (< 10-2 Ом·см). Пластины поставляются с качеством поверхности минимальным от загрязнений «epi-ready», что позволяет использовать пластину сразу для проведения эпитаксиальных процессов.
  • Пластины карбида кремния (SiC) и эпитаксиальных структур на их основе.
  • Пластины антимонида галлия (GaSb), фосфида индия (InP), антимонида индия (InSb), арсенида индия (InAs).