Отобразить:  плиткой  списком

Установка Dilase 650 является мощной системой прямой лазерной литографии с высоким разрешением, высокой скоростью записи и возможностью работы даже с очень тонким фоторезистивным слоем.

Установка травления в индуктивно связанной плазме Nasca-20 Plus с загрузочным шлюзом позволяет получать высоко-интенсивную плазму, осуществлять травление с высокой скорость и высокой однородностью при анизотропном травлении.

Модель Aegis-60 является уникальной установкой плазмохимического осаждения из газовой фазы (PECVD), спроектированной для осаждения тонких пленок на основе кремния (SiO2, SiNx, SiOxNy, a-SixHy).

Модель Taichi-30 производства компании Cello (Тайвань) является высоко производительной системой бондинга пластин с полностью автоматическим управлением на базе персонального компьютера, минимальными габаритами, и прекрасно подходит для исследований, разработок и пилотных производств.

Dilase 250 дает преимущества в лазерной литографии в отношении большого спектра применений: микрофлюидика, микромеханика или фотоника. Dilase 250 отлично подходит для быстрого прототипирования, генерации фотошаблона или непосредственного воздействия на тонкую пленку пластины толщиной от десятков до сотен микрон.

Лазерный литограф модели Dilase 750 является самым большим и мультифункциональным в модельном ряде компании KLOE и конфигурируется полностью под конкретные требованиям Заказчика.

Компактное светодиодное экспонирующее оборудование для использования в лабораториях и чистых помещениях. Разрешение экспонирования 2 мкм.

Первая светодиодная система экспонирования. Компактная, эргономичная, легкая в использовании, с функцией экспонирования маски, которая позволяют достичь разрешения менее, чем 2 мкм.

Уникальная, компактная и эффективная установка UV-KUB 3 относится к новому поколению светодиодных систем экспонирования и прекрасно подходит для применений в лабораториях в ходе научных исследований. Машина позволяет совмещать маску размером 5” c пластиной размером до 100 мм в кубическом объеме с длиной одной стороны всего 47,5 см.

Установки совмещения и экспонирования серии KCMA относятся к оптической литографии и являются экономически выгодным и бюджетным решением обработки пластин с максимальным диаметром 6 дюймов. Простота использования, удобный рабочий интерфейс, невысокая стоимость по сравнению с аналогами – все это делает машины данной серии очень привлекательными для использования в лабораториях и при производстве.

Страницы:

Страницы

Перед нашей страной стоят глобальные задачи, направленные на развитие промышленности как оборонного, так и гражданского секторов, переход производства на качественно новый уровень. Их решение невозможно без построения современных производств, обновления всей инженерной инфраструктуры, приобретения и внедрения передового технологического и измерительного оборудования.

Компания Интеллект осуществляет услуги по поставке современного технологического оборудования в соответствии с требованиями Заказчика. Оборудование подбирается, исходя из технического задания, полученного от Заказчика, и бюджета, что позволяет за разумные деньги достичь необходимого результата.

Возможны поставки как отдельных единиц, так и полной линейки оборудования под требуемый технологический процесс. Помимо оборудования для полупроводникового промышленности,  по отдельному запросу, возможны поставки оборудования для прецизионной микрообработки для металлообрабатывающих производств (электроэрозионные станки, токарные станки, пресса и т.д.).

Кроме того, наша компания осуществляет поставки полупроводниковых пластин и эпитаксиальных структур по техническому заданию Заказчика.

Также Компания Интеллект предлагает свои услуги по поставке полупроводниковых материалов для различных применений:

  • Полуизолирующие и полупроводниковые пластины  арсенида галлия (GaAs) диаметром от 3” до 200 мм для СВЧ-электроники и оптоэлектроники.  Кристаллы материала подложки выращиваются двумя методами: метод Чохральского и метод вертикально направленной кристаллизации. Требуемые электрические свойства достигаются легированием углеродом, кремнием, теллуром и цинком. Для Заказчиков предлагаются полупроводниковые пластины n-типа и p-типа с высоким сопротивлением (> 107 Ом·см) или низким сопротивлением (< 10-2 Ом·см). Пластины поставляются с качеством поверхности минимальным от загрязнений «epi-ready», что позволяет использовать пластину сразу для проведения эпитаксиальных процессов.
  • Пластины карбида кремния (SiC) и эпитаксиальных структур на их основе.
  • Пластины антимонида галлия (GaSb), фосфида индия (InP), антимонида индия (InSb), арсенида индия (InAs).