Установка плазменного травления и очистки MUEGGE STP Compact

Установка MUEGGE STP Compact принадлежит последнему и наиболее продвинутому поколению микроволновых систем группового озоления.

Установка MUEGGE STP Compact является идеальным решением для озоления фоторезиста (отлично работает с SU-8), удаления непроявленного фоторезиста, очистки пластин, активации поверхности, также травления кремния (Si) и нитрида кремния (Si3N4).

Установка MUEGGE STP Compact с успехом объединяет в себе совершенную аппаратную часть и технологию плазменных процессов и позволяет осуществлять удаление фоторезиста по типу SU-8 с помощью сухого плазменного травления. Для удаления слоев изотропное травление микроволновой плазмы является преимуществом  для “подрезания” верхних слоев.

Превосходная система управления процессом в комбинации с генератором микроволновой плазмы являются ключевыми элементами установки MUEGGE STP Compact.

Цена на установку в лежит в диапазоне от экономичных в случае комплектации для научных исследований (R&D) и ручного управления до средних в случае автоматизации системы. Установка MUEGGE STP Compact позволяет работать с пластинами размеров от 4” до 8”. Процесс загрузки-разгрузки – очень легкий.

Примеры очистки поверхности:

 

Технология удаления фоторезиста по типу SU-8

Технология быстрого реактивного радикального травления (Rapid Reactive Radical Technology, R3T®) за счет использования удаленного плазменного источника позволяет осуществлять удаление очень тослтых слоев органических материалов, например, резиста SU-8, и других материалов на основе эпоксидных смол с высокой производительностью, селективностью и без воздействия на металлы. Радикалы, генерируемые удаленным плазменным источником, создают химические реакции на поверхности пластины, направленные на очистку химическим травлением с очень низкой тепловой нагрузкой и повреждением свободных слоев при высоких скоростях процесса.

Ключевые черты MUEGGE STP Compact:

  • Компактный дизайн
  • Компактный удаленный микроволновый плазменный источник производства компании MUEGGE с уникальной плазменной зоной с водяным охлаждением, состоящей из алюминия/сапфира/кварца, гарантируют большое время жизни плазменной камеры.
  • Высокая производительность при низких затратах на пользование системы
  • Оптимизирована для удаления толстых фоторезистивных слоев (например, SU-8, KMPR и др.).
  • Может использоваться для изотропного травления таких материалов, как Si, SiO2, SiN, SiOxNy, W, Mo и др.
  • Чистое химическое травление без воздействия ионами на образец
  • Очень низкое температурное воздействие на пластины
  • Размер пластин до 240х240 мм
  • Нет воздействия на металлы (Ni, Ni/Fe, Au, Cu и др.)
  • Только очень малое воздействие на Si и соединения Si такие, как SiO2 или Si3N4
  • Высокая степень защиты окружающей среды
  • Для пластин 1х8” или 1x6” или 2x4”

Компактный удаленный микроволновый плазменный источник

 

Особые возможности процесса травления MUEGGE STP Compact:

  • Скорости травления почти не зависит от предварительной обработки, например, задубливания: различия в скоростях травления меньше, чем 10% между обработкой без задубливания и с задубливанием при 200 °C
  • Удаление очень толстых (SU-8) слоев резистов для МЭМС-технологии (>1 мм)
  • Удаленный плазменный источник с высоким выходом радикалов кислорода, нет повреждений от ионов, тепловое влияние только от энергии реакции
  • Одновременное травление пластин с различными толщинами резиста.

Опции для процесса травления MUEGGE STP Compact:

  • Детекция конечной точки
  • Дополнительные регуляторы расхода газа (MFC)

Спецификация системы:

Входное напряжение

400 В, 3 фазы, 50 Гц, <3 x 16 A

ВЧ мощность

Макс. 1 кВт, 2450 МГц

Сжатый воздух:

Качество: без масла, сухой, фильтрация 5 мкм

Давление: 6 бар - 9 бар

Входные газы

Процессное давление

Кислород (O2),

Азот (N2),

Тетрафторметан (CF4),

(возможны два дополнительных газа);

0.4 бар - 2.4 бар

Рабочая плитка

Температура: 20 °C - 70 °C

Нагревающая/охлаждающая жидкость: вода

Сборка

Полностью закрытый алюминиевый корпус

Твердый герметичный блок

Внешние размеры

Ш = 835 mm, Д = 840 mm, В = 835 mm

(Подходит для стола размером 800 мм x 800 мм)

Размеры процессной камеры

Ш = 260 mm, Д = 285 mm, В = 240 mm

(например, для пластин 1 x 8” или 1 x 6”, или 2 x 4”)

Условия

Температура окружающей среды: 5 °C – 40 °C, без образования конденсата,  

Tмакс. = 40 °C < 3 часов/день,

Влажность: 80 % при 30 °C, затем линейно уменьшается до 50 % при 40 °C

Охлаждение

Внутреннее воздушное охлаждение и водяное охлаждение 4.5 бар - 6 бар,

Входная температура воды 20 °C - 25 °C

Подключения

Терминалы 16 A (сетевой),

½“ соединительная муфта Rectus серия 87 (для охлаждающей воды),

¼“ моментная муфта (для сжатого воздуха),

6 mm Swagelok (вход газов),

ISO-K63 (выход вакуумного насоса),

Шпилька M6 (PE)

Рекомендуемые компоненты:

  • Вакуумный насос (сухой, мин. 250 м³/ч)
  • Система очистки газов (сухой абсорбер)