Установка травления с источником индуктивно-связанной плазмы Nasca-20 Plus

Установка травления в индуктивно связанной плазме Nasca-20 Plus с загрузочным шлюзом позволяет получать высоко-интенсивную плазму, осуществлять травление с высокой скорость и высокой однородностью при анизотропном травлении. 

Применения:

  • Травление GaAs, GaN, InP и других полупроводниковых пленок
  • Структурированный сапфировые подложки (PSS) для сверхъярких светодиодов (UHB LED),  меза-изоляция GaN, получение фотонных кристаллов
  • Анизотропное травление кремниевых пленок для интегральных схем с ультра высоким уровнем интеграции (ULSI)
  • Травление металлических пленок
  • Глубокое травление кремния (для MEMS)
  • Производство волноводных устройств

Установка травления в индуктивно связанной плазме Nasca-20 Plus с загрузочным шлюзом позволяет получать высоко-интенсивную плазму, осуществлять травление с высокой скорость и высокой однородностью при анизотропном травлении. Она позволяет осуществлять процессы по большему количество рецептов по сравнению с аналогами, поддерживать стабильную генерацию высоко интенсивной плазмы и работать с пластинами диаметров от 2” до 8”. Детектор конечной точки позволяет управлять процессом травления. Она также позволяет осуществлять точное анизотропное травление кремния, металлов и сложных полупроводниковых соединений (группы III-V, II-VI).

Отличительные черты системы:

  • Генерация стабильной плотности ионов плазмы > 3х1011 см-3 на пластине с приложенной ВЧ мощностью 1 кВт;
  • Поток ионов Ar > 5х1018 см-2сек-1 на пластине с приложенной ВЧ мощностью 1 кВт;
  • Высокая скорость травления улучшает производительность
  • Низкое смещение (ниже -100 В)
  • Однородность < ±5% в переделах пластины (WIW), от пластины к пластине (WTW), от процесса к процессу (RTR)
  • Высоко-селективное травление субмикронных структур
  • Активный контроль за температурой подложки и управляемый нагрев реактора позволяет осуществлять стабильный повторяющийся процесс
  • Легкий в использовании интерфейс для управления за параметрами, ввода рецепта и его хранения

Спецификация:

Процессная камера

  • Алюминий, внутренний диам. 450 мм., коррозионно-стойкая поверхность
  • Три смотровых окна диам. 2”
  • Контроль температуры

Электроды

  • ICP: медь, диам. 300 м
  • Нижняя подложка: алюминий, диам. 260 мм, с жидкостным охлаждением, механический зажимной патрон, охлаждение обратной стороны гелием

Источник ВЧ-излучения

  • ICP: 13,56 МГц, 1,2 кВт, автоматическое сравнение
  • Нижняя подложка: 13,56 МГц, 0,6 кВт, автоматическое сравнение

Камера загрузочного шлюза

Алюминий, ШхГхВ: 500мм х 300мм х 150 мм

Ручное открывание крышки камеры

Перемещение пластины посредство вакуумного робота

Вакуумная система

Процессная камера:

Химическая серия, турбомолекулярный насос на магнитном подвесе 1300 л/сек

Сухой форвакуумный насос 1600 л/мин

Автоматическая замкнутая система управления давлением посредством моторизированного заполного клапана

Загрузочная камера:

Роторный насос, 2х-стадийный, 660 л/мин

Система измерения давления и управления им

Процессная камера:

Диапазон измерений 10-9 Торр до 1 атм (базовое давление)

Емкостной монометр  10-5 Торр до 10-1 Торр (процессное давление)

Загрузочная камера:

Вакуумметр Пирани, 1 мТорр до 1000 Торр

Газовые процессные линии

6 расходомеров (стандартно, 2 байпасных и 4 нормальных), 0 ~ 200 см3/мин

Управление

Полностью автоматическое (нажатие одной кнопки)  или полностью ручное управление

Предохранители для защиты оператора и системы

Хранилище рецептов (всего 100)

До 10 последовательных шагов за процесс

Настройки и процессные параметры отображаются на дисплее в течение процесса

Габариты системы

ДхГхВ: 1300мм х 1360мм х 1600мм

Опции

Дополнительные газовые линии (до 9 линий всего)

Система детектирования по конечной точке

ВЧ-генератор 2,5 кВт (водяное охлаждение)

Генератор ВЧ-смещения 1 кВт (водяное охлаждение)

Чиллер

Системы газовой очистки